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>vwinchina德赢>化学铺平了道路改进电子材料

A thin layer of indium nitride on silicon carbide, created using the molecule developed by researchers at Link�ping University, Sweden.  CREDIT Magnus Johansson/Link�ping University
A thin layer of indium nitride on silicon carbide, created using the molecule developed by researchers at Link�ping University, Sweden. CREDIT Magnus Johansson/Link�ping University

抽象:
氮化铟是用于电子工业有前途的材料,但难以制造。Scientists at Link�ping University, Sweden, have developed a new molecule that can be used to create high-quality indium nitride, making it possible to use it in, for example, high-frequency electronics. The results have been published in Chemistry of Materials.

化学铺平了道路改进电子材料

Link�ping, Sweden | Posted on June 26th, 2020

我们目前使用的无线数据传输带宽将很快爆满。如果我们要继续发送数据的不断增加金额,可用带宽必须通过将频率进一步投入使用而增加。铟氮化物可以是解决方案的一部分。

“由于电子通过氮化铟移动非常容易,所以能够向前和向后穿过材料在非常高的速度与非常高的频率发送的电子,并创建信号。这意味着,氮化铟可在高频电子设备,其中可使用it can provide, for example, new frequencies for wireless data transfer", says Henrik Pedersen, professor of inorganic chemistry at the Department of Physics, Chemistry and Biology at Link�ping University. He has led the study, which was recently published in Chemistry of Materials.

氮化铟由氮和金属,铟的。它是一种半导体,因此可以在晶体管,在其上所有的电子设备都基于使用。的问题是,它难以制造氮化铟的薄膜。类似的半导体材料的薄膜是使用被称为化学气相沉积,或化学气相沉积,其中使用800至1000摄氏度之间的温度下一个完善的方法经常产生的。然而,氮化铟分解成其组成成分,铟和氮,当它被上述的600摄氏度加热。

谁进行本研究的科学家已经使用已知的原子层沉积,或ALD CVD的变体,其中使用较低的温度。他们已经开发出一种新的分子,被称为铟triazenide。没有人有这样的铟triazenides以前工作过,刘研究者很快发现,triazenide分子是薄膜制造一个很好的原料。应用于电子大多数材料必须通过使薄膜在表面上生长来产生该控制电子材料的晶体结构。该过程被称为外延生长。研究人员发现,它是可能的,如果碳化硅用作基板,以前未知的东西,以实现氮化铟的外延生长。此外,以这种方式产生的氮化铟是极纯的,和最优质的氮化铟世界之间。

“我们已经产生的分子,铟triazenide,使得可以在电子设备上使用铟氮化物。我们已经表明,有可能产生氮化铟在于确保其足够纯以被描述为一个真正的方式电子材料”亨利克·彼得森说。

研究人员发现了另一个令人惊讶的事实。它一般那些谁使用ALD的分子不应该被允许反应或在气相中的任何方式来细分当中接受。但是当研究人员改变了涂层工艺的温度,他们发现有不只是一个,而是两个,气温在这过程中是稳定的。

“铟triazenide分解成气相较小的碎片,这提高了ALD过程这是内ALD模式的转变 - 使用不属于气相完全稳定,我们显示的分子,我们可以得到一个更好的决赛。结果,如果我们允许新的分子分解在气相”在一定程度上亨利克·彼得森说。

研究人员正在研究类似triazenide分子与其他金属相比铟,和使用这些以产生用于ALD分子时已获得希望的结果。

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这项研究已经从农业科学大学瑞典乌普萨拉和卡尔顿大学在渥太华,加拿大的研究人员共同进行。它已经收到了来自瑞典战略研究基金会(SSF)和克努特和爱丽丝瓦伦堡基金会。Principal author of the published article is Nathan O�Brien, research fellow in the Department of Physics, Chemistry and Biology at Link�ping University.

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联系方式:
亨里克·佩德森

46-132-81385

@liu_universitet

版权©Link�ping University

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的文章:“铟(III)的原位激活Triazenide前驱体对氮化铟外延生长通过原子层沉积”,森J.奥布莱恩,Polla Rouf,Rouzbeh Samii,卡尔Ronnby,悉尼C. Buttera,Chih-许威,伊万G.伊万诺夫,瓦迪姆·凯斯勒拉尔斯Ojama e和亨里克·佩德森,材料化学,发布为4月24日,DOI开放获取文章:10.1021 / acs.chemmater.9b05171

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