NANOTECHNOTHOLOGY - 新闻稿：MXENE-GAN VAN DER WALS金属半导体结来高性能光电探测

家>vwinchina德赢> MXENE-GAN VAN DER WALS金属半导体结来高性能光电探测

A，Ti3C2Tx MXENE的合成和结构的示意图。B，所提出的PD在图案化的蓝宝石衬底上制备的示意图。C，高放大率（秤栏：3μm）所提出的PD的光学图像。在蓝色框中，是更精细的区域响应性和光致发光映射区域。D，当建议的PD + 5V偏置（秤栏：1μm）时，蓝盒内的响应性映射。图2中的蓝箱区域的光致发光强度映射。在e524.2nm（谷），f 520.7nm（峰值），g 517.3nm（谷）和h 513.1nm（峰值）中的图4b处于e524.2nm（谷），f 520.7nm（峰值）。vwin徳赢官网秤条是1μm。信贷由凌志罗，尹轩黄，克明成，阿卜杜拉阿哈萨，马赫迪·阿卡拉尼，唐，zh王，江武

抽象的：
互联网的应用（物联网）引发了光电探测器（PD）的强烈兴趣，因为它们被广泛用于传感，检测，数据传输和处理。即将到来的5G启用的IOT（5G-IOT）将需要新的性能标准，例如大量连接，超低延迟，对于大量IOT设备进行超可靠性。为了满足这些需求，金属半导体 - 金属（MSM）光电探测器对其高响应速度，简单的制造工艺和与场效应晶体管（FET）技术集成的简单的可行性得到了很多关注。然而，传统的制造过程将在金属半导体界面处诱导化学障碍和缺陷状态，导致显着的暗电流和噪声。另外，不透明金属通常被放置在有源光吸收区域的顶部上，这将反射入射光的一部分，从而降低MSM光电探测器的响应度。

MXENE-GAN VAN DER WALS金属半导体结，用于高性能光电探测

长春，中国|发表于2021年9月24日

在一篇新的论文中发表在光学与应用中，这是一个科学家，由中国，中国，中国和工友的电子科学和技术大学，江武教授领导，中国，中国和工友科技大学展示了一个高性能的mxene基于-MXENE的基于多量子阱光电探测器，通过容易滴铸件在图案化的蓝宝石衬底上制备。

MXENE，2011年发现的新型二维（2D）材料具有许多迷人的性质，如金属导电，机械柔韧性，滋生率，良好的透射率和化学稳定性，这使得在低温下可以在溶液中加工MXENE和在环境条件下。另外，广泛调谐的功函数使MXEN成为具有各种半导体材料的欧姆或肖特基触点的伟大候选者。更重要的是，2D材料由面内共价键合的原子层组成，其在面外方向上彼此巧妙地相互作用。当沉积在散装半导体材料上时，在界面处形成的MXENE-半导体VAN DAR WALS连接不含化学障碍，并且具有较少的缺陷状态，可以避免费米水平循环效果并减少反向隧道电流。

Jiang等人提出的多量子阱光电探测器在图案化的蓝宝石底物上生长，可以促进外延横向过度生长（ELOG）模式，从而降低GaN脱玻璃中的缺陷密度，并且使用MXENE代替常规金属，AU替代常规金属/ cr。与传统对应物相比，基于MxEne-GaN-MXENE的多量子阱光电探测器在蓝绿光谱范围内显着提高了响应性，暗电流和噪声，使其成为水光学检测和通信的潜在候选者。改进归因于低缺陷MXENE-GAN VAN DER WALS接口。更有趣的是，由于高质量的MXENE-GAN VAN DER WALS连接点，这可以抑制暗电流和噪声，因此在纳米纸张的顺序中区分光电流的次要空间变化，所以通过图案化蓝宝石衬底的局部光聚焦和增强观测到的。

####

有关更多信息，请点击这里

联系方式：
Yaobiao Li.
CAS，CAS，Mepense Mechance of Mechance of Mechance of Mechance of Mechance of Mechance of Mechance of Mechance of Machied Company Cha

办公室：86-431-861-76851

如果您有评论，请接触我们。

新闻发布发行人，而不是7th Wave，Inc。或纳米技术现在，仅对vwin徳赢官网内容的准确性负责。

书签：